Hersteller Produktnummer:
TSM60NB900CP ROG
Product Overview
Hersteller:
Taiwan Semiconductor Corporation
Teilenummer:
TSM60NB900CP ROG-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO252
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 4A (Tc) 36.8W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventar:
2480 Stück Neu Original Auf Lager
12894654
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TSM60NB900CP ROG Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Verpackung
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
900mOhm @ 1.2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
9.6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
315 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
36.8W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252 (DPAK)
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
TSM60
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
TSM60NB900CP ROGTR
TSM60NB900CP ROGTR-DG
TSM60NB900CPROGTR
TSM60NB900CP ROGCT
TSM60NB900CP ROGCT-DG
TSM60NB900CP ROGDKR-DG
TSM60NB900CP ROGDKR
TSM60NB900CPROGDKR
TSM60NB900CPROGCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STD8N80K5
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
8159
TEILNUMMER
STD8N80K5-DG
Einheitspreis
1.02
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Einheitspreis
1.10
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Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
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